雙面燒結工藝!比亞迪推出1200V1040功率模塊

  • 發表于: 2022-06-29 10:25:10 來源:汽車之家

比亞迪半導體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊,相較于市場主流的SiC功率模塊,1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題,在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%,主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題,充分發揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優勢,后續也將匹配更高功率新能源汽車平臺應用,充分發揮其大功率優勢。

據悉,1200V 1040A SiC功率模塊采用雙面燒結工藝,具備更出色的工藝優勢和可靠性。

芯片下表面燒結工藝,連接層導熱率與可靠性提高:

SiC MOSFET芯片下表面采用燒結工藝,相比傳統焊接工藝模塊,連接層導熱率最大可提升10倍,可靠性更是可提升5倍以上。

芯片上表面燒結工藝,提升模塊工作結溫:

芯片上表面采用燒結工藝,因燒結層具有的高耐溫特性,SiC 模塊工作結溫可提升至175℃,試驗證明,其可靠性是傳統工藝的4倍以上。(邢月陽)